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2023年5月8日 碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率高等显著性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域具有广阔的市场前景。 近年来，随着5G基站的 2024年10月22日 1）碳化硅切割设备：国内首个高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500能切出和砂浆切割一样的晶片质量，切割效率大大提高，生产成本明显降低，在行业里独家实现批 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
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2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 在我国进行产业升级的浪潮中，SiC材料以其独特的性能得到了越来越多的应用 (如: 高功率电力电子、 2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科
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2024年1月20日 碳化硅制造涉及生命周期、制造商、生产工艺和设备类型等关键因素。 生命周期和制造商的选择会影响设备的生产能力和维护周期。 设备类型包括氧化扩散炉和外延炉等， 2023年5月13日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_中国纳米行业
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2024年12月5日 碳化硅晶圆的生产涉及多个环节，并且需要使用一系列关键设备，主要包括以下几类： SiC半导体产业的基础是高纯原材料的获取，其中包括高纯SiC粉末和SiC晶体。 在碳 2025年1月13日 中电科48所碳化硅设备批量交付 1月9日，中国电科48所传来捷报，其官微宣布立式氧化炉近日完成批量交付。该立式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造的 2025年开场，半导体设备好戏连连 2025年刚开场，半导体 ...
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2024年8月12日 在碳化硅 (SiC) 半导体晶圆传输设备领域，华芯智能凭借其先进的技术和可靠的解决方案，赢得了广泛的客户认可。近期，公司已成功向多家碳化硅芯片和设备制造企业持续 2024年12月5日 碳化硅（SiC）材料的特性要求其晶圆制造设备必须进行专门设计与优化，以确保生产的高效性与高质量。碳化硅晶圆的生产涉及多个环节，并且需要使用一系列关键设备，主 碳化硅半导体专用设备全面分析 - 新闻通知 中关村天合宽禁带 ...
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2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。15 小时之前 今天（2月27日），全球8英寸碳化硅产业迎来了又一个里程碑时刻——重庆安意法8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（以下简称安意法） 正式通线投产，这一里程碑标志着意法半导 意法半导体：重庆8英寸碳化硅产线正式投产 - 电子工程专辑 ...
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2024年3月29日 目前，国内碳化硅衬底迈过萌芽期，进入到规模化生产中。当前衬底环节面临全面降本的实际需求，市场对于碳化硅衬底设备的稳定工艺要求更高，因为这直接影响着长晶的良率高低以及自动化规模产出的一致性。针对上述 2025年1月22日 天岳先进（688234.SH）1月21日在投资者互动平台表示，目前公司的长晶炉生产设备主要为公司自行设计，运转情况良好。目前，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉 天岳先进：碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术等，公司 ...
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2025年1月21日 其中碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术等，公司已形成相关专利。 (记者 毕陆名) 免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议 ...2024年8月24日 碳化硅器件属于宽禁带半导体，不但在民用领域应用广泛，在国防领域也普遍应用。因此对相关技术，西方发达国家都实行出口管制。目前，只有一家日本企业生产制造碳化 国内首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产 - 中国日报网
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2023年9月22日 碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异： （1） 离子注入是最重要的工艺。硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。2025年1月13日 中电科48所碳化硅设备批量交付 1月9日，中国电科48所传来捷报，其官微宣布立式氧化炉近日完成批量交付。该立式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造的 2025年开场，半导体设备好戏连连-全球半导体观察
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2025年1月13日 2025年刚开场，半导体设备领域仍消息频频：中电科48所碳化硅设备批量交付；芯达半导体前道涂胶显影设备顺利出厂；晶驰机电 ... Nextin在中国的客户一直要求这家晶 2025年1月13日 立式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造关键工艺设备，主要用于高温氧化及退火工艺。 据悉，氧化退火对于碳化硅功率器件制造至关重要。氧化退火处理 中电科48所碳化硅设备批量交付-全球半导体观察
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2023年7月14日 作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温 ...2024年8月23日 该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，包含晶锭上料、晶锭研磨、激光切割、晶片分离和晶片收集，一举填补了国内碳化硅晶锭激光剥离设备领域研发、制造 国内首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产
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2022年3月22日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热 ...2025年2月19日 近来，江苏集芯先进材料有限公司在碳化硅（SiC）制造领域展现了强大的创新能力，该公司成功获得了一项名为"两用碳化硅晶片倒角机"的专利，标志着在半导体制造设备方 江苏集芯推出全新两用碳化硅晶片倒角机，未来制造业的新标杆
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2024年9月29日 因此，8inch碳化硅衬底设备（如：长晶炉、衬底切割设备等）制造 的技术门槛极高，能制造高良率设备的企业极少。北方华创 科技集团股份有限公司（简称“北方华创”）作为 2020年12月29日 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造 商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足 英罗唯森：开启碳化硅设备先河 - 中化新网
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2023年11月11日 近年来，新能源汽车、充电桩、智能装备制造、光伏新能源等新兴应用领域成为功率半导体产业的持续增长点，SiC MOSFET 和 IGBT 等功率半导体获得了前所未有的 关注 2022年3月2日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气体。再输运至籽晶处、在 籽晶表面原子沉 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国
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2023年12月29日 面对如此诱人的市场，国内的外延设备企业纷纷开始推动布局，根据 InSemi的碳化硅设备市场报告，国内当前碳化硅外延设备的企业数量已接近10余家，国内碳化硅外延市场仅国产设备市场存量已超370台。2024年10月21日 促使碳化硅晶圆从 6英寸到 8英寸的升级进一步加快。此外，受益于当下更为先进的碳化硅外延技术，碳化硅设备制造 商设计更大功率器件的能力也得到了增强。 得益于其 ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台 - 设备 - 半导体行业观察
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15 小时之前 格力：SiC工厂整套环境设备均为自主制造 2025年02月27日 10:21 电子产品世界 新浪财经APP 缩小字体 放大字体 收藏 微博 微信 分享 自央视频官方获悉 ...2023年3月13日 碳化硅器件制备过程中相对特殊的设备或要求：需使用分步投影光刻机、专用的碳化硅外延炉、高温离子注入机、高温退火和高温 氧化设备；干法刻蚀设备需更高的刻蚀功率； 器件封装过程中的减薄机需针对碳化硅材料脆 碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
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2 天之前 爱思强G10-SiC设备为Wolfspeed 8英寸材料工厂John Palmour碳化硅制造中心提供支持，助力Wolfspeed 进一步加大、加快8英寸碳化硅晶圆的生产。 今年7月爱思强曾表示，在上半年市场整体表现疲弱的情况下，其G10产品系列 %PDF-1.7 %âãÏÓ 1 0 obj > endobj 2 0 obj >stream application/pdf ä¸œå ´è¯ åˆ¸-碳化ç¡è®¾å¤‡è¡Œä¸šæ±åº¦æŠ¥å‘Šï¼šSiC东风å²æ 碳化硅设备行业深度报告:
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2 天之前 在半导体制造领域，晶圆加工设备 的稳定性与精度直接决定芯片良率与性能。作为晶圆传输、定位和工艺处理的核心载体，吸盘的性能要求近乎苛刻：需兼具纳米级表面平整度、超 3 天之前 近期，董明珠针对格力涉足芯片领域的质疑声，再次公开发表了自己的看法。她强调，外界往往过于高估了芯片制造的复杂性，认为这一过程充满了不可知的因素。 董明珠透 董明珠谈格力造芯片：芯片制造没那么神秘，格力已建全 ...
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2023年9月27日 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用，因此当前SiC晶圆制造产能紧缺。SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在
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